QFN封装工艺技术介绍

　　QFN封装超势　　根撼摩雨第一定律，芯片的集成度每18涸月提高一倍，而价格下降50%。产品的生命周期值2.53年追就决定了集成鼋路行棠需要大量的资金和研登投入，半停醴封装产棠已经递入所谓成熟期。　

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底部填充品质控制及烘烤工艺

　　底部填充胶在完成涂敷和填充后，需要对点胶的器件进行必要的外观检查。点胶填充合格后，接下来就是对胶水的烘烤，为保证胶水的完全固化，要充分考虑其固化温度曲线。把烘烤好的产品从烤箱中取出后，需要对器件的

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点胶和底部填充的路径与模式基本要求

　　在设计点胶路径时，不仅要考虑点胶效率和填充流动形态，为了在BGA及类似器件的边缘良好成型，还要认真考虑器件边缘溢胶区域限制。日前的电子产品，由于其高密度组装特点，其溢胶区域通常受到限制。某些特定区

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底部填充胶(underfill)中空洞的去除方法

　　底部填充胶(underfill)中空洞的去除方法　　在许多底部填充胶(underfill)的应用中，包括从柔性基板上的*小芯片到*大的BGA封装，底部填充胶(underfill)中出现空洞和气隙是

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灌封胶产品常出现的问题及原因分析

　　(1)局部放电起始电压低，线间打火或击穿电视机、显示器输出变压器，汽车、摩托车点火器等高压电子产品，常因灌封工艺不当，工作时会出现局部放电(电弧)、线间打火或击穿现象，是因为这类产品高压线圈线径很

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IC芯片封装技术的发展及技术特点（三）

IC芯片封装技术的发展及技术特点（三）　　新兴力量—MCM　　BGA封装比QFP先进，但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。这时有人设想，当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时，能否将多个集成电路芯片

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IC芯片封装技术的发展及技术特点（二）

IC芯片封装技术的发展及技术特点（二）　　5 中流砥柱——BGA/CSP　　20世纪90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，芯片集成度不断提高，I/O 引脚数急剧增加，功耗也随

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IC芯片封装技术的发展及技术特点（一）

　　集成电路(IC)的核心是芯片。每块集成电路芯片在使用前都需要封装。封装是IC芯片支撑、保护的必要条件，也是其功能实现的主要组成部分。随着芯片及集成的水平不断提高，电子封装的作用正变得越来越重要。当

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IC集成电路的封装形式

　　IC集成电路的封装形式：　　SOP小外形包装：也称为SOL和DFP，是一种非常常见的组件形式。同时，它也是表面安装封装之一，并且引脚以海鸥翼形(L形)从封装的两侧引出。包装材料分为两种：塑料和陶瓷

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封装测试行业不可避免走向全面国产替代

　　一是从上到下的国产替代意识。2019年华为实体名单事件以来，国内 IC 从业者愈加深刻认识到核心技术自主可控的重要性，无论是集成电路设计、制造还是封测，都开始着重培养与扶持本土供应企业，转单趋

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LED芯片封装形式与封装工艺

　　1 LED芯片类型　　LED芯片类型从结构角度上主要分为三类：水平电极芯片，倒装芯片和垂直电极芯片。　　2 LED的封装　　封装是实现LED从芯片走向最终产品所必需的中间环节，封装的功能在于提供芯

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SiP封装工艺 wafer晶圆平坦化进程

　　Wafer Back Grinding(晶圆研磨)　　为保持一定的可操持性，Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄，才适用于切割、组装，一般需要研磨到200um左右

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