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碳化硅(SiC)功率模块封装技术的新挑战

碳化硅(SiC)功率模块封装技术的新挑战

  尽管宽禁带半导体材料较Si材料在材料性能上有很大的优势,但是芯片必须封装之后才能使用,目前传统的功率器件封装技术都是为Si基功率器件设计的,将其用于宽禁带半导体功率器件时,会在使用频率、散热、可靠
电子灌封胶的分类和其优点缺点

电子灌封胶的分类和其优点缺点

  灌封胶在未固化前属于液体状,具有流动性,胶液黏度根据产品的材质、性能、生产工艺的不同而有所区别。在完全固化后才能实现它的使用价值,固化后可以起到防水防潮、防尘、绝缘、导热、保密、防腐蚀、耐温、防震
灌封工艺的常见缺陷

灌封工艺的常见缺陷

  1)器件表面缩孔、局部凹陷、开裂  灌封料在加热固化过程中会产生两种收缩:由液态到固态相变过程中的化学收缩和降温过程中的物理收缩。固化过程中的化学变化收缩又有两个过程:从灌封后加热化学交联反应开始
先进晶圆级封装技术之五大要素(下)

先进晶圆级封装技术之五大要素(下)

  在前文中,我们对晶圆级封装技术进行了一个基础性的介绍,并对其应用现状以及技术优势进行了扩展,相信大家已经对先进晶圆级封装技术有了一个初步的认知。  那么,本篇文章我们将带领大家详细解读构成先进晶圆
晶圆代工市场火爆 晶圆代工厂营收预测出炉

晶圆代工市场火爆 晶圆代工厂营收预测出炉

  2021年第一季全球晶圆代工市场需求依旧旺盛,面对终端产品对芯片的需求居高不下,客户倾向加大拉货力道,使晶圆代工产能供不应求状况延续,各大晶圆代工厂营运表现将持续走强,根据TrendForce最新
PCB板制作工艺流程

PCB板制作工艺流程

  1、开料(CUT)  开料是把原始的覆铜板切割成能在生产线上制作的板子的过程。  首先我们来了解几个概念:  (1)UNIT:UNIT是指PCB设计工程师设计的单元图形。  (2)SET:SET是
集成电路IC封装术语解析(二)

集成电路IC封装术语解析(二)

接上,集成电路IC封装术语解析(一)  7、CDIP-G(Ceramic Dual In-line Package Glass)  用玻璃封装的陶瓷双列直插式封装,也有写作DIP-G,用于ECL
集成电路IC封装术语解析(一)

集成电路IC封装术语解析(一)

  EDA设计中经常会用到各种各样的芯片,这些芯片通过一个外壳支架上引脚连接线路板上的导线和其他器件相连,这种外壳支架就称为集成电路的封装形式,芯片的晶圆通过金线连接到外壳支架上的引脚,通过引脚实现内
先进晶圆级封装技术之五大要素(上)

先进晶圆级封装技术之五大要素(上)

  追溯芯片封装历史,将单个单元从整个晶圆中切割下来再进行后续封装测试的方式一直以来都是半导体芯片制造的“规定范式”。然而,随着芯片制造成本的飞速提升以及消费市场对于芯片性能的不断追求,人们开始意识到
硅篇晶圆供需失衡,恐大幅涨价

硅篇晶圆供需失衡,恐大幅涨价

  硅晶圆供需紧绷、有望进行大幅涨价!券商看旺、大幅调升目标价,日本硅晶圆大厂SUMCO今日股价飙涨、创约2年半来新高水平。  根据MoneyDJ XQ全球赢家系统报价,截至台北时间25日上午12
功率模块芯片封装技术发展

功率模块芯片封装技术发展

  我们设计满足各种应用需求的封装本质上是芯片布局成电路和散热技术。结合外部设计组成成熟的产品,其技术基础主要是三个方面。包括芯片互连,芯片焊接,和散热设计,加上一个外壳封装构成整个模块,如下图所示:
晶圆级封装CSP底部填充知识

晶圆级封装CSP底部填充知识

  晶圆级封装CSP  Ⅰ根据J-STD-012标准的定义,CSP是指封装尺寸不超过裸芯片1.2倍的一种先进的封装形式  Ⅰ最接近籽芯(die)尺寸的封装  l 边长比不大于1.2倍  Ⅰ面积比大大于
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