先进3D封装技术动态曝光方法和主动模位补偿

　　由于基于掩模的光刻方法无法控制小于曝光场的失真，因此它们面临非线性、高阶基材畸变和芯片移位相关问题的困难，尤其是在晶圆上进行芯片重组后，这是典型的扇出晶圆级封装(FOWLP)。使用 LITHOSCALE 上的动态对准模式进行光刻实验，以评估晶圆级失真补偿的性能以及无掩模曝光系统上的主动芯片图案化的性能。

　　高级失真校正功能和动态对齐模式的工艺流程。动态对准包括全局和多点晶圆对准选项，通常可以随机放置多达 16 个对准标记(标记为蓝色和黄色)为了覆盖基板上最关键的区域并补偿全局失真。在未对准测量之后，位移矢量会进一步并行编译，然后再对设计进行实时插值和渲染。

　　因此，曝光的图案得到了全部的误差补偿，就不会产生重叠或未覆盖的区域——可能有最小程度的错位，这不影响图案化工艺的水平。在通过动态对齐模式补偿多点对齐的16 个标记(黄色)的实际位置后，显示了在极端非典型错位(用红色箭头指示)示例之后的补偿布局(深灰色)的可视化结果。

　　当考虑在晶圆上重构后引起的芯片失真误差时，高级失真功能也应在芯片层面上应用，其中主动补偿和重新布线结果严格依赖于外部计量数据。失真补偿算法包括旋转、缩放、剪切和平移(移位)的数学校正。对于模具放置误差补偿，该模型将模具内的变形限制在模具的刚体上，这通常由每个芯片的两个(外部)对齐点表示。由于转换过程的即时性，动态二进制图案生成在曝光前对每个基板单独从外部获取的每个芯片的计量数据进行补充，以补偿由处理或预处理引起的重叠/定位误差，排除了潜在的热影响。芯片级补偿的简化数据完整性流程如图 5 所示。

　　同时，LITHOSCALE 可以实现实时个性化晶圆级布局以及同时构建单个芯片布局;特别是功能性和直接可读的加密代码或主动图案化的熔断图，以优化器件分档，用于工艺或器件跟踪和记录，从而提高整体良率。

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