晶圆级封装的工艺流程

1、涂覆第一层聚合物薄膜，以加强芯片的钝化层，起到应力缓冲的作用。聚合物种类有光敏聚酰亚胺（PI）、苯并环丁烯（BCB）、聚苯并恶唑（PBO）。

2、重布线层（RDL）是对芯片的铝/铜焊区位置重新布局，使新焊区满足对焊料球最小间距的要求，并使新焊区按照阵列排布。光刻胶作为选择性电镀的模板以规划RDL的线路图形，最后湿法蚀刻去除光刻胶和溅射层。

3、涂覆第二层聚合物薄膜，是圆片表面平坦化并保护RDL层。在第二层聚合物薄膜光刻出新焊区位置。

4、凸点下金属层（UBM）采用和RDL一样的工艺流程制作。

5、植球。焊膏和焊料球通过掩膜板进行准确定位，将焊料球放置于UBM上，放入回流炉中，焊料经回流融化与UBM形成良好的浸润结合，达到良好的焊接效果。

三、晶圆级封装的发展趋势

随着电子产品不断升级换代，智能手机、5G、AI等新兴市场对封装技术提出了更高要求，使得封装技术朝着高度集成、三维、超细节距互连等方向发展。晶圆级封装技术可以减小芯片尺寸、布线长度、焊球间距等，因此可以提高集成电路的集成度、处理器的速度等，降低功耗，提高可靠性，顺应了电子产品日益轻薄短小、低成本的发展要需求。

晶圆级封装技术要不断降低成本，提高可靠性水平，扩大在大型IC方面的应用：

1、通过减少WLP的层数降低工艺成本，缩短工艺时间，主要是针对I/O少、芯片尺寸小的产品。

2、通过新材料应用提高WLP的性能和可靠度。主要针对I/O多、芯片尺寸大的产品。

随着由6吋晶圆升级至8吋晶圆甚至12吋晶圆，对晶圆压膜设备的要求也越来越高，友硕ELT晶圆级真空压膜机采用真空+压力+高温的方法贴压膜，适合各种干膜，PR/PI膜，BG/DAF等不平等晶圆表面的压膜。