晶圆压膜机的压膜流程
涂布第一层聚合物薄膜(Polymer Layer ) ,以加强芯片的钝化层( Passivation ) ,起到应力缓冲的作用。目前*常用的聚合物薄膜是光敏性聚酰亚胺( Photo-sensitive Polyimide ) ,简称PI,是一种负性胶。
早期的WLP选用BCB ( Benzocyclobutene,苯并环丁烯)作为重布线的聚合物薄膜,但受制于低机械性能(低断裂伸长率和拉伸强度)和高工艺成本(需要打底粘合层adhesion promoter ) ,促使材料商开发PI和PBO ( Polybenzoxazole,聚苯并嗯唑)。
涂布第二层Polymer,使圆片表面平坦化并保护RDL层。第二层Polymer经过光刻后开出新焊区的位置。口最后一道金属层是UBM ( Under Bump Metalization,球下金属层),采用和RDL—样的工艺流程制作。
植球。顺应无铅化环保的要求,目前应用在WLP的焊料球都是锡银铜合金。焊料球的直径一般为
250 m。为了保证焊膏和焊料球都准确定位在对应的UBM上,就要使用掩模板。焊料球通过掩模板的开孔被放置于UBM 上,最后将植球后的硅片推入回流炉中回流,焊料球经回流融化与UBM形成良好的浸润结合。
而以上的流程正式我们ELT真空压膜机的关键功能所在。