晶圆压膜机的压膜流程

　　涂布第一层聚合物薄膜(Polymer Layer ) ，以加强芯片的钝化层( Passivation ) ，起到应力缓冲的作用。目前*常用的聚合物薄膜是光敏性聚酰亚胺( Photo-sensitive Polyimide ) ，简称PI，是一种负性胶。

　　早期的WLP选用BCB ( Benzocyclobutene,苯并环丁烯)作为重布线的聚合物薄膜，但受制于低机械性能(低断裂伸长率和拉伸强度)和高工艺成本(需要打底粘合层adhesion promoter ) ，促使材料商开发PI和PBO ( Polybenzoxazole，聚苯并嗯唑)。

　　涂布第二层Polymer，使圆片表面平坦化并保护RDL层。第二层Polymer经过光刻后开出新焊区的位置。口最后一道金属层是UBM ( Under Bump　Metalization，球下金属层)，采用和RDL—样的工艺流程制作。

　　植球。顺应无铅化环保的要求，目前应用在WLP的焊料球都是锡银铜合金。焊料球的直径一般为

　　250 m。为了保证焊膏和焊料球都准确定位在对应的UBM上，就要使用掩模板。焊料球通过掩模板的开孔被放置于UBM 上，最后将植球后的硅片推入回流炉中回流，焊料球经回流融化与UBM形成良好的浸润结合。

   而以上的流程正式我们ELT真空压膜机的关键功能所在。